RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2786
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link