RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2123
3004
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link