RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
92
Rund um -318% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
17.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3929
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link