RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
43
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3191
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link