RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
68
73
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
1843
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link