RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2447
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link