RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Compara
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
6,336.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,935.8
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1144
2613
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Informar de un error
×
Bug description
Source link