RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link