RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
46
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3317
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link