RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
42
Autour de -62% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.2
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
1970
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link