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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
65
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
65
Velocità di lettura, GB/s
16.4
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2729
2041
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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