RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
14.9
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2659
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link