RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2305
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link