RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2806
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB533D2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link