RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3211
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link