RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2873
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link