RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3823
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link