RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
75
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
4200
Wokół strony 6.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
46
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
25600
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2936
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link