RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2910
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link