RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
43
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2732
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link