RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3135
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G8002 1GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link