RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
4421
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link