RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2135
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link