RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
87
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.9
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
7.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1862
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Inmos + 256MB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link