RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
92
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
65
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
1836
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link