RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
69
Por volta de -156% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2902
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link