RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
42
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
40
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2786
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link