RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
73
Около 49% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
73
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2065
1843
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link