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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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更快的读取速度,GB/s
19.5
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
31
读取速度,GB/s
17.4
19.5
写入速度,GB/s
10.9
14.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
3391
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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