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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBPQ 2GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs G Skill Intl F2-6400CL5-2GBPQ 2GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBPQ 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBPQ 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
58
65
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,463.9
2,451.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBPQ 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
65
58
读取速度,GB/s
4,605.9
5,354.5
写入速度,GB/s
2,451.8
2,463.9
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
991
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBPQ 2GB RAM的比较
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
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