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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
36
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
32
读取速度,GB/s
15.0
16.4
写入速度,GB/s
10.3
11.9
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2973
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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