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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
9.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2489
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Mushkin 996902 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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