RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,160.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
7.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
2292
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link