RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
75
Rund um -159% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
3714
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link