RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
17.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
3917
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link