RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2740
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link