RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
66
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.3
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1760
3735
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link