RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
2533
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link