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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
53
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2518
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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