RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
52
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
35
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2672
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link