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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En 40% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2794
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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