RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2623
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link