RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Informar de un error
×
Bug description
Source link