RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Compara
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2489
3568
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-466.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link