RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
40
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2786
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link