RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
17.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
59
En -168% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
3929
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link