RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3264
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link