RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
1998
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link