RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
34
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
17
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
3550
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link