RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2422
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link